在电路中，蚀刻用于通过选择性化学侵蚀去除在金属部件的研磨和抛光过程中产生的变形层性能最好的手机。目前开发了一种称为“类湿法等离子体蚀刻”的新方法，它结合了湿法蚀刻的选择性和干法蚀刻的可控性。该技术将使蚀刻新的和难以蚀刻的材料成为可能，从而使用于智能手机和数据中心的硅半导体集成电路具有更高的性能和更低的功耗。（江苏英思特半导体科技有限公司）
类湿法等离子体蚀刻
在为计算设备创造最快、最节能的电路的竞赛中，科学家们一直在寻找新的晶体管设计性能最好的手机。最近，出现了从 FinFET型晶体管（所谓是因为栅极像鲨鱼鳍一样高出硅平面）转变为环绕栅极晶体管，其中鳍被水平片堆叠所取代看起来像佛教寺庙中的宝塔。在这种类型中，片材围绕通道以减少泄漏并增加驱动电流。
为了制造这些复杂的结构，由钛 (Ti) 和铝 (Al) 组成的金属碳化物，例如 TiC 或 TiAlC，被用作施加电压的金属栅极性能最好的手机。TiAlC是一种高硬度、高耐磨、高熔点、电化学性能优异的三元材料。有两种方法可以蚀刻此类材料。湿法蚀刻使用化学溶液，而干法蚀刻使用气体。通常，用于半导体器件的 TiAlC膜是通过使用过氧化氢液体混合物的湿法蚀刻来蚀刻的。然而，这个过程需要很长的蚀刻时间才能完全去除目标金属。它还存在化学损坏金属门的风险。此外，所使用的液体会在原子水平上产生表面张力，从而破坏重要特征。（江苏英思特半导体科技有限公司）
为了开发一种先进的蚀刻工艺，用于选择性去除TiAlC而不是其他Ti化合物，已经测试了非卤素蚀刻作为一种可能的解决方案性能最好的手机。目前，还没有针对这三种元素制成的金属碳化物的无卤素干法刻蚀工艺。
江苏英思特半导体科技有限公司主要从事湿法制程设备，晶圆清洁设备，RCA清洗机，KOH腐殖清洗机等设备的设计、生产和维护性能最好的手机。
